Descrição
(1657) Polaridade do transistor: NPN Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 30 V VCBO de Tensão Base do Coletor: 35 V Voltagem de base do emissor VEBO: 4,5 V Tensão de saturação coletor-emissor: 500 mV Corrente máxima do coletor CC: 50 mA Pd – Dissipação de Potência: 625 mW Produto de ganho de largura de banda fT: 50MHz Temperatura Mínima de Operação: – 65ºC Temperatura Máxima de Operação: + 150ºC Embalagem: Volume Marca: Semicondutor central Corrente Contínua do Coletor: 50 mA Coletor DC/Ganho Base hFE Min: 300 Ganho de corrente CC hFE Max: 900 Tipo de Produto: BJTs – Transistores bipolares lojas de eletronica lisboa
